HFW12N60S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HFW12N60S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 225 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 85 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 185 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.65 Ohm

Тип корпуса: D2-PAK

Аналог (замена) для HFW12N60S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFW12N60S даташит

 ..1. Size:207K  semihow
 hfw12n60s.pdf pdf_icon

HFW12N60S

Jan 2013 BVDSS = 600 V RDS(on) typ = 0.53 HFW12N60S ID = 12 A 600V N-Channel MOSFET D2-PAK FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 38 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON

Другие IGBT... HFS8N70S, HFS8N70U, HFS8N80, HFS9N50, HFT1N60S, HFU630, HFW10N60S, HFW11N40, IRF740, HFW50N06, HFW5N50S, HFW5N60S, HFW5N65S, HFW5N65U, HFW640, HFW6N90, HFW8N65U