Справочник MOSFET. HFW12N60S

 

HFW12N60S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HFW12N60S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 225 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 85 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 185 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.65 Ohm
   Тип корпуса: D2-PAK
 

 Аналог (замена) для HFW12N60S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFW12N60S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:207K  semihow
 hfw12n60s.pdf pdf_icon

HFW12N60S

Jan 2013BVDSS = 600 VRDS(on) typ = 0.53 HFW12N60SID = 12 A600V N-Channel MOSFETD2-PAKFEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 38 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON

Другие MOSFET... HFS8N70S , HFS8N70U , HFS8N80 , HFS9N50 , HFT1N60S , HFU630 , HFW10N60S , HFW11N40 , IRF740 , HFW50N06 , HFW5N50S , HFW5N60S , HFW5N65S , HFW5N65U , HFW640 , HFW6N90 , HFW8N65U .

History: FTP50N20R | R6020KNZ

 

 
Back to Top

 


 
.