HFW12N60S MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HFW12N60S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 225 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 12 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 38 nC
Время нарастания (tr): 85 ns
Выходная емкость (Cd): 185 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.65 Ohm
Тип корпуса: D2-PAK
HFW12N60S Datasheet (PDF)
..1. Size:207K semihow
hfw12n60s.pdf
hfw12n60s.pdf
Jan 2013BVDSS = 600 VRDS(on) typ = 0.53 HFW12N60SID = 12 A600V N-Channel MOSFETD2-PAKFEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 38 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
