HFW50N06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HFW50N06

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 120 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 25 V

Corriente continua de drenaje (Id): 50 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Carga de compuerta (Qg): 40 nC

Tiempo de elevación (tr): 105 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 600 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.022 Ohm

Empaquetado / Estuche: D2-PAK

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HFW50N06 Datasheet (PDF)

1.1. hfi50n06 hfw50n06.pdf Size:237K _update_mosfet

Nov 2009 BVDSS = 60 V RDS(on) = 18 mΩ HFW50N06 / HFI50N06 ID = 50 A 60V N-Channel MOSFET D2-PAK I2-PAK FEATURES Originative New Design HFW50N06 HFI50N06 Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 40 nC (Typ.) Extended Safe Operati

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Liste

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