HFW50N06 Todos los transistores

 

HFW50N06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HFW50N06
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 105 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 600 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2-PAK
     - Selección de transistores por parámetros

 

HFW50N06 Datasheet (PDF)

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HFW50N06

Nov 2009BVDSS = 60 VRDS(on) = 18 mHFW50N06 / HFI50N06ID = 50 A60V N-Channel MOSFETD2-PAK I2-PAKFEATURES Originative New DesignHFW50N06 HFI50N06 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 40 nC (Typ.) Extended Safe Operati

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HFW50N06

Oct 2016HFI50N06A / HFW50N06A60V N-Channel MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Superior Avalanche Rugged TechnologyBVDSS 60 V Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic CapacitancesID 50 A Excellent Switching CharacteristicsRDS(on), Typ 18 100% Avalanche TestedQg, Typ 27 nC RoHS CompliantHFI50N06A HFW50N06ASymbolTO-262 TO-263DS

Otros transistores... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: VS4020AP | 2N7075

 

 
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