Справочник MOSFET. HFW50N06

 

HFW50N06 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HFW50N06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 105 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 600 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
   Тип корпуса: D2-PAK
 

 Аналог (замена) для HFW50N06

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFW50N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:237K  semihow
 hfi50n06 hfw50n06.pdf pdf_icon

HFW50N06

Nov 2009BVDSS = 60 VRDS(on) = 18 mHFW50N06 / HFI50N06ID = 50 A60V N-Channel MOSFETD2-PAK I2-PAKFEATURES Originative New DesignHFW50N06 HFI50N06 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 40 nC (Typ.) Extended Safe Operati

 0.1. Size:418K  semihow
 hfi50n06a hfw50n06a.pdf pdf_icon

HFW50N06

Oct 2016HFI50N06A / HFW50N06A60V N-Channel MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Superior Avalanche Rugged TechnologyBVDSS 60 V Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic CapacitancesID 50 A Excellent Switching CharacteristicsRDS(on), Typ 18 100% Avalanche TestedQg, Typ 27 nC RoHS CompliantHFI50N06A HFW50N06ASymbolTO-262 TO-263DS

Другие MOSFET... HFS8N70U , HFS8N80 , HFS9N50 , HFT1N60S , HFU630 , HFW10N60S , HFW11N40 , HFW12N60S , IRF840 , HFW5N50S , HFW5N60S , HFW5N65S , HFW5N65U , HFW640 , HFW6N90 , HFW8N65U , HFW9N50 .

History: FDA16N50LDTU | IRFP4229 | TK6A80E

 

 
Back to Top

 


 
.