HFW640 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HFW640

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 139 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 150 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 175 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.18 Ohm

Encapsulados: D2-PAK

 Búsqueda de reemplazo de HFW640 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

HFW640 datasheet

 ..1. Size:191K  semihow
 hfi640 hfw640.pdf pdf_icon

HFW640

Mar 2008 BVDSS = 200 V RDS(on) typ HFW640 / HFI640 ID = 18 A 200V N-Channel MOSFET D2-PAK I2-PAK 2 FEATURES 1 3 1 2 3 Originative New Design HFW640 HFI640 Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 37 nC (Typ.)

Otros transistores... HFW10N60S, HFW11N40, HFW12N60S, HFW50N06, HFW5N50S, HFW5N60S, HFW5N65S, HFW5N65U, IRFP460, HFW6N90, HFW8N65U, HFW9N50, HP8KA1, HRD13N10K, HRP75N75V, HRS75N75V, HS8K11