Справочник MOSFET. HFW640

 

HFW640 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HFW640
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 139 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 150 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 175 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
   Тип корпуса: D2-PAK
 

 Аналог (замена) для HFW640

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFW640 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:191K  semihow
 hfi640 hfw640.pdf pdf_icon

HFW640

Mar 2008BVDSS = 200 VRDS(on) typ HFW640 / HFI640ID = 18 A200V N-Channel MOSFETD2-PAK I2-PAK2FEATURES13 123 Originative New DesignHFW640 HFI640 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 37 nC (Typ.)

Другие MOSFET... HFW10N60S , HFW11N40 , HFW12N60S , HFW50N06 , HFW5N50S , HFW5N60S , HFW5N65S , HFW5N65U , IRF640 , HFW6N90 , HFW8N65U , HFW9N50 , HP8KA1 , HRD13N10K , HRP75N75V , HRS75N75V , HS8K11 .

 

 
Back to Top

 


 
.