Справочник MOSFET. HFW640

 

HFW640 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HFW640
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 139 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 150 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 175 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
   Тип корпуса: D2-PAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HFW640 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:191K  semihow
 hfi640 hfw640.pdf pdf_icon

HFW640

Mar 2008BVDSS = 200 VRDS(on) typ HFW640 / HFI640ID = 18 A200V N-Channel MOSFETD2-PAK I2-PAK2FEATURES13 123 Originative New DesignHFW640 HFI640 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 37 nC (Typ.)

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: IXFH40N50Q | SI7913DN | TMPF11N50SG | MC11N005 | NVMFS5C628N | JCS5N50CT | NCEP026N10F

 

 
Back to Top

 


 
.