HFW640. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HFW640

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 139 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 150 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 175 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm

Тип корпуса: D2-PAK

Аналог (замена) для HFW640

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFW640 даташит

 ..1. Size:191K  semihow
 hfi640 hfw640.pdf pdf_icon

HFW640

Mar 2008 BVDSS = 200 V RDS(on) typ HFW640 / HFI640 ID = 18 A 200V N-Channel MOSFET D2-PAK I2-PAK 2 FEATURES 1 3 1 2 3 Originative New Design HFW640 HFI640 Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 37 nC (Typ.)

Другие IGBT... HFW10N60S, HFW11N40, HFW12N60S, HFW50N06, HFW5N50S, HFW5N60S, HFW5N65S, HFW5N65U, IRFP460, HFW6N90, HFW8N65U, HFW9N50, HP8KA1, HRD13N10K, HRP75N75V, HRS75N75V, HS8K11