HFW6N90 Todos los transistores

 

HFW6N90 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HFW6N90
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 167 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 120 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2-PAK
 

 Búsqueda de reemplazo de HFW6N90 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

Principales características: HFW6N90

 ..1. Size:185K  semihow
 hfw6n90.pdf pdf_icon

HFW6N90

March 2013 BVDSS = 900 V RDS(on) typ = 1.95 HFW6N90 / HFI6N90 ID = 6.0 A 900V N-Channel MOSFET D2-PAK I2-PAK FEATURES Originative New Design HFW6N90 HFI6N90 Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 35 nC (Typ.) Extended

Otros transistores... HFW11N40 , HFW12N60S , HFW50N06 , HFW5N50S , HFW5N60S , HFW5N65S , HFW5N65U , HFW640 , IRFZ44 , HFW8N65U , HFW9N50 , HP8KA1 , HRD13N10K , HRP75N75V , HRS75N75V , HS8K11 , HT-3201 .

 

 
Back to Top

 


 
.