HFW6N90 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HFW6N90
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 167 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 900 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V
Corriente continua de drenaje (Id): 6 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4.5 V
Carga de compuerta (Qg): 35 nC
Tiempo de elevación (tr): 120 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 110 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 2.4 Ohm
Empaquetado / Estuche: D2-PAK
Búsqueda de reemplazo de MOSFET HFW6N90
HFW6N90 Datasheet (PDF)
1.1. hfw6n90.pdf 
Size:185K _update_mosfet
March 2013 BVDSS = 900 V RDS(on) typ = 1.95 HFW6N90 / HFI6N90 ID = 6.0 A 900V N-Channel MOSFET D2-PAK I2-PAK FEATURES Originative New Design HFW6N90 HFI6N90 Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 35 nC (Typ.) Extended
Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , 2N7002 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
