Справочник MOSFET. HFW6N90

 

HFW6N90 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HFW6N90
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 167 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 120 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.4 Ohm
   Тип корпуса: D2-PAK
 

 Аналог (замена) для HFW6N90

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFW6N90 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:185K  semihow
 hfw6n90.pdf pdf_icon

HFW6N90

March 2013BVDSS = 900 VRDS(on) typ = 1.95 HFW6N90 / HFI6N90ID = 6.0 A900V N-Channel MOSFETD2-PAK I2-PAKFEATURES Originative New DesignHFW6N90 HFI6N90 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 35 nC (Typ.) Extended

Другие MOSFET... HFW11N40 , HFW12N60S , HFW50N06 , HFW5N50S , HFW5N60S , HFW5N65S , HFW5N65U , HFW640 , IRFZ44 , HFW8N65U , HFW9N50 , HP8KA1 , HRD13N10K , HRP75N75V , HRS75N75V , HS8K11 , HT-3201 .

History: AM10N30-600I | NTMS5P02R2SG | SI4831DY

 

 
Back to Top

 


 
.