HFW6N90. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HFW6N90

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 167 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 120 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.4 Ohm

Тип корпуса: D2-PAK

Аналог (замена) для HFW6N90

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFW6N90 даташит

 ..1. Size:185K  semihow
 hfw6n90.pdf pdf_icon

HFW6N90

March 2013 BVDSS = 900 V RDS(on) typ = 1.95 HFW6N90 / HFI6N90 ID = 6.0 A 900V N-Channel MOSFET D2-PAK I2-PAK FEATURES Originative New Design HFW6N90 HFI6N90 Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 35 nC (Typ.) Extended

Другие IGBT... HFW11N40, HFW12N60S, HFW50N06, HFW5N50S, HFW5N60S, HFW5N65S, HFW5N65U, HFW640, IRFZ44, HFW8N65U, HFW9N50, HP8KA1, HRD13N10K, HRP75N75V, HRS75N75V, HS8K11, HT-3201