HFW8N65U MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HFW8N65U

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm

Encapsulados: D2-PAK

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HFW8N65U datasheet

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HFW8N65U

Jan 2013 BVDSS = 650 V RDS(on) typ HFW8N65U / HFI8N65U ID = 7.5 A 650V N-Channel MOSFET D2-PAK I2-PAK FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology HFW8N65U HFI8N65U Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 22.0 nC (Typ.) Ext

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