HFW8N65U Todos los transistores

 

HFW8N65U MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HFW8N65U
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2-PAK
 

 Búsqueda de reemplazo de HFW8N65U MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

HFW8N65U Datasheet (PDF)

 ..1. Size:676K  semihow
 hfw8n65u.pdf pdf_icon

HFW8N65U

Jan 2013BVDSS = 650 VRDS(on) typ HFW8N65U / HFI8N65U ID = 7.5 A650V N-Channel MOSFETD2-PAK I2-PAKFEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged TechnologyHFW8N65U HFI8N65U Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 22.0 nC (Typ.) Ext

Otros transistores... HFW12N60S , HFW50N06 , HFW5N50S , HFW5N60S , HFW5N65S , HFW5N65U , HFW640 , HFW6N90 , IRFP460 , HFW9N50 , HP8KA1 , HRD13N10K , HRP75N75V , HRS75N75V , HS8K11 , HT-3201 , HTMN5130SSD .

History: NTTFS6H854NL | SSF6401 | IRFR110 | IRFR9022

 

 
Back to Top

 


 
.