Справочник MOSFET. HFW8N65U

 

HFW8N65U Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HFW8N65U
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: D2-PAK
 

 Аналог (замена) для HFW8N65U

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFW8N65U Datasheet (PDF)

 ..1. Size:676K  semihow
 hfw8n65u.pdf pdf_icon

HFW8N65U

Jan 2013BVDSS = 650 VRDS(on) typ HFW8N65U / HFI8N65U ID = 7.5 A650V N-Channel MOSFETD2-PAK I2-PAKFEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged TechnologyHFW8N65U HFI8N65U Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 22.0 nC (Typ.) Ext

Другие MOSFET... HFW12N60S , HFW50N06 , HFW5N50S , HFW5N60S , HFW5N65S , HFW5N65U , HFW640 , HFW6N90 , IRFP460 , HFW9N50 , HP8KA1 , HRD13N10K , HRP75N75V , HRS75N75V , HS8K11 , HT-3201 , HTMN5130SSD .

History: FHP7N60A | IVN5000AND | HYG110P04LQ2U

 

 
Back to Top

 


 
.