HFW8N65U MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HFW8N65U
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 7.5 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 22 nC
Время нарастания (tr): 50 ns
Выходная емкость (Cd): 100 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.4 Ohm
Тип корпуса: D2-PAK
HFW8N65U Datasheet (PDF)
..1. Size:676K semihow
hfw8n65u.pdf
hfw8n65u.pdf
Jan 2013BVDSS = 650 VRDS(on) typ HFW8N65U / HFI8N65U ID = 7.5 A650V N-Channel MOSFETD2-PAK I2-PAKFEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged TechnologyHFW8N65U HFI8N65U Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 22.0 nC (Typ.) Ext
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
