HFW9N50 Todos los transistores

 

HFW9N50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HFW9N50
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 147 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 120 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.73 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2-PAK
 

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HFW9N50 Datasheet (PDF)

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HFW9N50

June 2005BVDSS = 500 VRDS(on) typ HFW9N50 / HFI9N50ID = 9.0 A500V N-Channel MOSFETD2-PAK I2-PAKFEATURES Originative New DesignHFW9N50 HFI9N50 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 35 nC (Typ.) Extended Safe Op

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History: WMN26N65SR | WNMD2167 | STI57N65M5

 

 
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