HFW9N50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HFW9N50
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 147 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 120 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.73 Ohm
Paquete / Cubierta: D2-PAK
Búsqueda de reemplazo de HFW9N50 MOSFET
HFW9N50 Datasheet (PDF)
hfw9n50.pdf

June 2005BVDSS = 500 VRDS(on) typ HFW9N50 / HFI9N50ID = 9.0 A500V N-Channel MOSFETD2-PAK I2-PAKFEATURES Originative New DesignHFW9N50 HFI9N50 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 35 nC (Typ.) Extended Safe Op
Otros transistores... HFW50N06 , HFW5N50S , HFW5N60S , HFW5N65S , HFW5N65U , HFW640 , HFW6N90 , HFW8N65U , IRF1404 , HP8KA1 , HRD13N10K , HRP75N75V , HRS75N75V , HS8K11 , HT-3201 , HTMN5130SSD , HUF75329D3ST .
History: IRFP330 | CMB1405 | FSS923AOR | IXFR30N50Q | FDMA0104 | SM6F25NSU | IXFR14N100Q2
History: IRFP330 | CMB1405 | FSS923AOR | IXFR30N50Q | FDMA0104 | SM6F25NSU | IXFR14N100Q2



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMTC80N06A | JMTC6888A | JMTC60N04B | JMTC58N06B | JMTC4004A | JMTC320N10A | JMTC3005A | JMTC3003A | JMTC3002B | JMTC170N10A | JMTC110N06A | JMTC085P04A | JMTC068N07A | JMTC060N06A | JMTC035N06D | JMTC035N04A
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