HFW9N50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HFW9N50

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 147 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 500 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 9 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4.5 V

Carga de compuerta (Qg): 35 nC

Tiempo de elevación (tr): 120 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 150 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.73 Ohm

Empaquetado / Estuche: D2-PAK

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HFW9N50 Datasheet (PDF)

1.1. hfw9n50.pdf Size:173K _update_mosfet

June 2005 BVDSS = 500 V RDS(on) typ HFW9N50 / HFI9N50 ID = 9.0 A 500V N-Channel MOSFET D2-PAK I2-PAK FEATURES Originative New Design HFW9N50 HFI9N50 Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 35 nC (Typ.) Extended Safe Op

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Liste

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