HFW9N50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HFW9N50
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 147 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 500 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V
Corriente continua de drenaje (Id): 9 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4.5 V
Carga de compuerta (Qg): 35 nC
Tiempo de elevación (tr): 120 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 150 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.73 Ohm
Empaquetado / Estuche: D2-PAK
Búsqueda de reemplazo de MOSFET HFW9N50
HFW9N50 Datasheet (PDF)
1.1. hfw9n50.pdf 
Size:173K _update_mosfet
June 2005 BVDSS = 500 V RDS(on) typ HFW9N50 / HFI9N50 ID = 9.0 A 500V N-Channel MOSFET D2-PAK I2-PAK FEATURES Originative New Design HFW9N50 HFI9N50 Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 35 nC (Typ.) Extended Safe Op
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