HFW9N50 Todos los transistores

 

HFW9N50 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HFW9N50
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 147 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 120 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.73 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2-PAK
 

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HFW9N50 datasheet

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HFW9N50

June 2005 BVDSS = 500 V RDS(on) typ HFW9N50 / HFI9N50 ID = 9.0 A 500V N-Channel MOSFET D2-PAK I2-PAK FEATURES Originative New Design HFW9N50 HFI9N50 Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 35 nC (Typ.) Extended Safe Op

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