HFW9N50. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HFW9N50

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 147 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 120 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.73 Ohm

Тип корпуса: D2-PAK

Аналог (замена) для HFW9N50

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFW9N50 даташит

 ..1. Size:173K  semihow
 hfw9n50.pdf pdf_icon

HFW9N50

June 2005 BVDSS = 500 V RDS(on) typ HFW9N50 / HFI9N50 ID = 9.0 A 500V N-Channel MOSFET D2-PAK I2-PAK FEATURES Originative New Design HFW9N50 HFI9N50 Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 35 nC (Typ.) Extended Safe Op

Другие IGBT... HFW50N06, HFW5N50S, HFW5N60S, HFW5N65S, HFW5N65U, HFW640, HFW6N90, HFW8N65U, IRF1404, HP8KA1, HRD13N10K, HRP75N75V, HRS75N75V, HS8K11, HT-3201, HTMN5130SSD, HUF75329D3ST