HRD13N10K MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HRD13N10K

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 37 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.105 Ohm

Encapsulados: D-PAK

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HRD13N10K datasheet

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HRD13N10K

Dec 2013 BVDSS = 100 V RDS(on) typ = 85 HRD13N10K / HRU13N10K ID = 3.5 A 100V N-Channel Trench MOSFET D-PAK I-PAK FEATURES 2 1 Originative New Design 1 3 2 3 Superior Avalanche Rugged Technology HRD13N10K HRU13N10K Excellent Switching Characteristics 1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge 20 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON) 8

Otros transistores... HFW5N60S, HFW5N65S, HFW5N65U, HFW640, HFW6N90, HFW8N65U, HFW9N50, HP8KA1, IRFB4110, HRP75N75V, HRS75N75V, HS8K11, HT-3201, HTMN5130SSD, HUF75329D3ST, HUF75332S3ST, HUF75337S3