HRD13N10K Todos los transistores

 

HRD13N10K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HRD13N10K
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 37 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.105 Ohm
   Paquete / Cubierta: D-PAK
 

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HRD13N10K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:251K  semihow
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HRD13N10K

Dec 2013BVDSS = 100 VRDS(on) typ = 85 HRD13N10K / HRU13N10K ID = 3.5 A100V N-Channel Trench MOSFETD-PAK I-PAKFEATURES21 Originative New Design13 23 Superior Avalanche Rugged TechnologyHRD13N10K HRU13N10K Excellent Switching Characteristics1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge : 20 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON) : 8

Otros transistores... HFW5N60S , HFW5N65S , HFW5N65U , HFW640 , HFW6N90 , HFW8N65U , HFW9N50 , HP8KA1 , IRF640N , HRP75N75V , HRS75N75V , HS8K11 , HT-3201 , HTMN5130SSD , HUF75329D3ST , HUF75332S3ST , HUF75337S3 .

History: IRFR9024PBF | IRFR3504ZPBF | SI7358ADP | NCE20PD05 | IRLI3705NPBF | IRLB3034 | SFP035N95C3

 

 
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