HRD13N10K. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HRD13N10K

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 37 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.105 Ohm

Тип корпуса: D-PAK

Аналог (замена) для HRD13N10K

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HRD13N10K даташит

 ..1. Size:251K  semihow
 hrd13n10k.pdf pdf_icon

HRD13N10K

Dec 2013 BVDSS = 100 V RDS(on) typ = 85 HRD13N10K / HRU13N10K ID = 3.5 A 100V N-Channel Trench MOSFET D-PAK I-PAK FEATURES 2 1 Originative New Design 1 3 2 3 Superior Avalanche Rugged Technology HRD13N10K HRU13N10K Excellent Switching Characteristics 1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge 20 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON) 8

Другие IGBT... HFW5N60S, HFW5N65S, HFW5N65U, HFW640, HFW6N90, HFW8N65U, HFW9N50, HP8KA1, IRFB4110, HRP75N75V, HRS75N75V, HS8K11, HT-3201, HTMN5130SSD, HUF75329D3ST, HUF75332S3ST, HUF75337S3