Справочник MOSFET. HRD13N10K

 

HRD13N10K Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HRD13N10K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 37 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 20 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.105 Ohm
   Тип корпуса: D-PAK
 

 Аналог (замена) для HRD13N10K

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HRD13N10K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:251K  semihow
 hrd13n10k.pdf pdf_icon

HRD13N10K

Dec 2013BVDSS = 100 VRDS(on) typ = 85 HRD13N10K / HRU13N10K ID = 3.5 A100V N-Channel Trench MOSFETD-PAK I-PAKFEATURES21 Originative New Design13 23 Superior Avalanche Rugged TechnologyHRD13N10K HRU13N10K Excellent Switching Characteristics1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge : 20 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON) : 8

Другие MOSFET... HFW5N60S , HFW5N65S , HFW5N65U , HFW640 , HFW6N90 , HFW8N65U , HFW9N50 , HP8KA1 , IRF640N , HRP75N75V , HRS75N75V , HS8K11 , HT-3201 , HTMN5130SSD , HUF75329D3ST , HUF75332S3ST , HUF75337S3 .

 

 
Back to Top

 


 
.