HRP75N75V Todos los transistores

 

HRP75N75V MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HRP75N75V

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 125 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 70 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 25 V

Corriente continua de drenaje (Id): 48 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Carga de compuerta (Qg): 80 nC

Tiempo de elevación (tr): 150 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 350 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0075 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HRP75N75V

 

HRP75N75V Datasheet (PDF)

1.1. hrp75n75v.pdf Size:211K _update_mosfet

HRP75N75V
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Fab 2014 BVDSS = 70 V RDS(on) typ = 6 HRP75N75V ID = 48 A 70V N-Channel Trench MOSFET TO-220 FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 1 2 3 Excellent Switching Characteristics 1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge : 80 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON) : 6.0 (Typ.) @VGS=10V 100% Avalanche Tested Abso

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