HRP75N75V Todos los transistores

 

HRP75N75V MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HRP75N75V
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 70 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 48 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 150 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 350 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

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HRP75N75V Datasheet (PDF)

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HRP75N75V

Fab 2014BVDSS = 70 VRDS(on) typ = 6 HRP75N75V ID = 48 A70V N-Channel Trench MOSFETTO-220FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology123 Excellent Switching Characteristics1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge : 80 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON) : 6.0 (Typ.) @VGS=10V 100% Avalanche TestedAbso

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History: NDD05N50Z

 

 
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