Справочник MOSFET. HRP75N75V

 

HRP75N75V MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HRP75N75V
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 70 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 48 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 80 nC
   trⓘ - Время нарастания: 150 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm
   Тип корпуса: TO-220

 Аналог (замена) для HRP75N75V

 

 

HRP75N75V Datasheet (PDF)

 ..1. Size:211K  semihow
 hrp75n75v.pdf

HRP75N75V HRP75N75V

Fab 2014BVDSS = 70 VRDS(on) typ = 6 HRP75N75V ID = 48 A70V N-Channel Trench MOSFETTO-220FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology123 Excellent Switching Characteristics1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge : 80 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON) : 6.0 (Typ.) @VGS=10V 100% Avalanche TestedAbso

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top