HS8K11 Todos los transistores

 

HS8K11 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HS8K11

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 2 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 7 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 2.5 V

Carga de compuerta (Qg): 11.1 nC

Tiempo de elevación (tr): 10.8 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 80 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0179 Ohm

Empaquetado / Estuche: HSML3030L10

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HS8K11 Datasheet (PDF)

1.1. hs8k11.pdf Size:3861K _update_mosfet

HS8K11
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HS8K11 Datasheet   30V Nch+Nch Power MOSFET    lOutline l             HSML3030L10 Symbol Tr1:Nch Tr2:Nch   VDSS 30V 30V     RDS(on)(Max.) 17.9mΩ 13.3mΩ     ID ±7A ±11A     PD 2W                         lFeatures l lInner circuit l 1) Low on - resistance. 2) Pb-free lead plating ; RoHS compliant. 3) Halogen Fr

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , 2N7002 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
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