HS8K11 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HS8K11
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 2 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 7 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 2.5 V
Carga de compuerta (Qg): 11.1 nC
Tiempo de elevación (tr): 10.8 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 80 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0179 Ohm
Empaquetado / Estuche: HSML3030L10
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HS8K11 Datasheet (PDF)
1.1. hs8k11.pdf 
Size:3861K _update_mosfet
HS8K11 Datasheet 30V Nch+Nch Power MOSFET lOutline l HSML3030L10 Symbol Tr1:Nch Tr2:Nch VDSS 30V 30V RDS(on)(Max.) 17.9mΩ 13.3mΩ ID ±7A ±11A PD 2W lFeatures l lInner circuit l 1) Low on - resistance. 2) Pb-free lead plating ; RoHS compliant. 3) Halogen Fr
Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , 2N7002 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
