HS8K11 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HS8K11

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 2 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 7 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 2.5 V

Carga de compuerta (Qg): 11.1 nC

Tiempo de elevación (tr): 10.8 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 80 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0179 Ohm

Empaquetado / Estuche: HSML3030L10

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HS8K11

HS8K11 Datasheet (PDF)

1.1. hs8k11.pdf Size:3861K _update_mosfet

HS8K11 Datasheet 　　30V Nch+Nch Power MOSFET 　　 lOutline l 　　　　　　 HSML3030L10 Symbol Tr1:Nch Tr2:Nch 　 VDSS 30V 30V 　　 RDS(on)(Max.) 17.9mΩ 13.3mΩ 　　 ID ±7A ±11A 　　 PD 2W 　　　　　　　　　　　　 lFeatures l lInner circuit l 1) Low on - resistance. 2) Pb-free lead plating ; RoHS compliant. 3) Halogen Fr

Otros transistores... CED6861 , CED95P04 , CEF14P20 , CEF15P15 , CEF6601 , CEH2305 , CEH2313 , CEH2321 , 2SK170 , CEH2331 , CEH3456 , CEM2163 , CEM2187 , CEM2281 , CEM2401 , CEM2407 , CEM3053 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: