HS8K11 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HS8K11  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10.8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0179 Ohm

Encapsulados: HSML3030L10

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HS8K11 datasheet

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HS8K11

HS8K11 Datasheet 30V Nch+Nch Power MOSFET lOutline l HSML3030L10 Symbol Tr1 Nch Tr2 Nch VDSS 30V 30V RDS(on)(Max.) 17.9m 13.3m ID 7A 11A PD 2W lFeatures l lInner circuit l 1) Low on - resistance. 2) Pb-free lead plating ; RoHS compliant. 3) Halogen Fr

Otros transistores... HFW640, HFW6N90, HFW8N65U, HFW9N50, HP8KA1, HRD13N10K, HRP75N75V, HRS75N75V, IRF640N, HT-3201, HTMN5130SSD, HUF75329D3ST, HUF75332S3ST, HUF75337S3, HUF75343S3, HUF75343S3ST, HUF75344A3