HS8K11 Todos los transistores

 

HS8K11 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HS8K11
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0179 Ohm
   Paquete / Cubierta: HSML3030L10
 

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HS8K11 Datasheet (PDF)

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HS8K11

HS8K11Datasheet30V Nch+Nch Power MOSFETlOutlinel HSML3030L10Symbol Tr1:Nch Tr2:NchVDSS 30V 30V RDS(on)(Max.) 17.9m 13.3m ID 7A 11A PD 2W lFeaturesllInner circuitl1) Low on - resistance.2) Pb-free lead plating ; RoHS compliant.3) Halogen Fr

Otros transistores... HFW640 , HFW6N90 , HFW8N65U , HFW9N50 , HP8KA1 , HRD13N10K , HRP75N75V , HRS75N75V , IRF3710 , HT-3201 , HTMN5130SSD , HUF75329D3ST , HUF75332S3ST , HUF75337S3 , HUF75343S3 , HUF75343S3ST , HUF75344A3 .

History: NCEAP055N12D | MTC3588BDFA6 | WMJ12N100C2

 

 
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