Справочник MOSFET. HS8K11

 

HS8K11 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HS8K11
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0179 Ohm
   Тип корпуса: HSML3030L10
 

 Аналог (замена) для HS8K11

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HS8K11 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:3861K  rohm
 hs8k11.pdf pdf_icon

HS8K11

HS8K11Datasheet30V Nch+Nch Power MOSFETlOutlinel HSML3030L10Symbol Tr1:Nch Tr2:NchVDSS 30V 30V RDS(on)(Max.) 17.9m 13.3m ID 7A 11A PD 2W lFeaturesllInner circuitl1) Low on - resistance.2) Pb-free lead plating ; RoHS compliant.3) Halogen Fr

Другие MOSFET... HFW640 , HFW6N90 , HFW8N65U , HFW9N50 , HP8KA1 , HRD13N10K , HRP75N75V , HRS75N75V , IRF3710 , HT-3201 , HTMN5130SSD , HUF75329D3ST , HUF75332S3ST , HUF75337S3 , HUF75343S3 , HUF75343S3ST , HUF75344A3 .

History: RU40L60M | SWUI6N70DA

 

 
Back to Top

 


 
.