HS8K11. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HS8K11

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0179 Ohm

Тип корпуса: HSML3030L10

Аналог (замена) для HS8K11

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HS8K11 даташит

 ..1. Size:3861K  rohm
 hs8k11.pdf pdf_icon

HS8K11

HS8K11 Datasheet 30V Nch+Nch Power MOSFET lOutline l HSML3030L10 Symbol Tr1 Nch Tr2 Nch VDSS 30V 30V RDS(on)(Max.) 17.9m 13.3m ID 7A 11A PD 2W lFeatures l lInner circuit l 1) Low on - resistance. 2) Pb-free lead plating ; RoHS compliant. 3) Halogen Fr

Другие IGBT... HFW640, HFW6N90, HFW8N65U, HFW9N50, HP8KA1, HRD13N10K, HRP75N75V, HRS75N75V, AO3400, HT-3201, HTMN5130SSD, HUF75329D3ST, HUF75332S3ST, HUF75337S3, HUF75343S3, HUF75343S3ST, HUF75344A3