Справочник MOSFET. HS8K11

 

HS8K11 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HS8K11
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0179 Ohm
   Тип корпуса: HSML3030L10
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HS8K11 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:3861K  rohm
 hs8k11.pdf pdf_icon

HS8K11

HS8K11Datasheet30V Nch+Nch Power MOSFETlOutlinel HSML3030L10Symbol Tr1:Nch Tr2:NchVDSS 30V 30V RDS(on)(Max.) 17.9m 13.3m ID 7A 11A PD 2W lFeaturesllInner circuitl1) Low on - resistance.2) Pb-free lead plating ; RoHS compliant.3) Halogen Fr

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: NDB5060L

 

 
Back to Top

 


 
.