HT-3201 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HT-3201
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2000 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 433 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 225 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1540 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0036 Ohm
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de HT-3201 MOSFET
HT-3201 Datasheet (PDF)
ht-3201.pdf

PRELIMINARY HT-3201 High-Temperature Silicon Carbide (SiC) Half-Bridge Power Module N-Channel MOSFET Version FEATURES 1200 V / 3.6 m Industry standard footprint High temperature: T = 225 C c(max)T = 225 C J(max) AS9100:Rev. C-certified manufacturing, traceable throughout value chain Ultra-fast switching (
Otros transistores... HFW6N90 , HFW8N65U , HFW9N50 , HP8KA1 , HRD13N10K , HRP75N75V , HRS75N75V , HS8K11 , AON6414A , HTMN5130SSD , HUF75329D3ST , HUF75332S3ST , HUF75337S3 , HUF75343S3 , HUF75343S3ST , HUF75344A3 , HUF75345S3 .
History: VN30AB | IPL60R185P7 | R9523 | STC5NF20V | SWI069R10VS | NCE2007N
History: VN30AB | IPL60R185P7 | R9523 | STC5NF20V | SWI069R10VS | NCE2007N



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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