HT-3201 Todos los transistores

 

HT-3201 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HT-3201

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 2000 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 1200 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 25 V

Corriente continua de drenaje (Id): 433 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 225 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 5.25 V

Carga de compuerta (Qg): 1.253 nC

Tiempo de elevación (tr): 50 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1540 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0036 Ohm

Empaquetado / Estuche: MODULE

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HT-3201 Datasheet (PDF)

1.1. ht-3201.pdf Size:756K _update_mosfet

HT-3201
HT-3201

 PRELIMINARY HT-3201 High-Temperature Silicon Carbide (SiC) Half-Bridge Power Module N-Channel MOSFET Version FEATURES 1200 V / 3.6 m  Industry standard footprint  High temperature: T = 225 C c(max) T = 225 C J(max)  AS9100:Rev. C-certified manufacturing, traceable throughout value chain  Ultra-fast switching (<30 ns), low inductance  Enables hi

1.2. ht-3201.pdf Size:756K _apei

HT-3201
HT-3201

 PRELIMINARY HT-3201 High-Temperature Silicon Carbide (SiC) Half-Bridge Power Module N-Channel MOSFET Version FEATURES 1200 V / 3.6 m  Industry standard footprint  High temperature: T = 225 C c(max) T = 225 C J(max)  AS9100:Rev. C-certified manufacturing, traceable throughout value chain  Ultra-fast switching (<30 ns), low inductance  Enables hi

 

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