HT-3201 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HT-3201  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2000 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 433 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 225 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1540 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0036 Ohm

Encapsulados: MODULE

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HT-3201 datasheet

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HT-3201

PRELIMINARY HT-3201 High-Temperature Silicon Carbide (SiC) Half-Bridge Power Module N-Channel MOSFET Version FEATURES 1200 V / 3.6 m Industry standard footprint High temperature T = 225 C c(max) T = 225 C J(max) AS9100 Rev. C-certified manufacturing, traceable throughout value chain Ultra-fast switching (

Otros transistores... HFW6N90, HFW8N65U, HFW9N50, HP8KA1, HRD13N10K, HRP75N75V, HRS75N75V, HS8K11, AON6414A, HTMN5130SSD, HUF75329D3ST, HUF75332S3ST, HUF75337S3, HUF75343S3, HUF75343S3ST, HUF75344A3, HUF75345S3