Справочник MOSFET. HT-3201

 

HT-3201 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HT-3201
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2000 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 433 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 225 °C
   trⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1540 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0036 Ohm
   Тип корпуса: MODULE
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HT-3201 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:756K  apei
 ht-3201.pdf pdf_icon

HT-3201

PRELIMINARY HT-3201 High-Temperature Silicon Carbide (SiC) Half-Bridge Power Module N-Channel MOSFET Version FEATURES 1200 V / 3.6 m Industry standard footprint High temperature: T = 225 C c(max)T = 225 C J(max) AS9100:Rev. C-certified manufacturing, traceable throughout value chain Ultra-fast switching (

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: NCE60P16AK | BSC032N03SG | IPB180N04S4L-H0 | BF964S | FQI4N90TU | 2SK3133L | SLF7N60C

 

 
Back to Top

 


 
.