Справочник MOSFET. HT-3201

 

HT-3201 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HT-3201
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2000 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 433 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 225 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1540 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0036 Ohm
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для HT-3201

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HT-3201 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:756K  apei
 ht-3201.pdf pdf_icon

HT-3201

PRELIMINARY HT-3201 High-Temperature Silicon Carbide (SiC) Half-Bridge Power Module N-Channel MOSFET Version FEATURES 1200 V / 3.6 m Industry standard footprint High temperature: T = 225 C c(max)T = 225 C J(max) AS9100:Rev. C-certified manufacturing, traceable throughout value chain Ultra-fast switching (

Другие MOSFET... HFW6N90 , HFW8N65U , HFW9N50 , HP8KA1 , HRD13N10K , HRP75N75V , HRS75N75V , HS8K11 , AON6414A , HTMN5130SSD , HUF75329D3ST , HUF75332S3ST , HUF75337S3 , HUF75343S3 , HUF75343S3ST , HUF75344A3 , HUF75345S3 .

 

 
Back to Top

 


 
.