HT-3201 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HT-3201  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2000 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 433 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 225 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5.25 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 1.253 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1540 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0036 Ohm

Тип корпуса: MODULE

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для HT-3201

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HT-3201 даташит

 ..1. Size:756K  apei
 ht-3201.pdf pdf_icon

HT-3201

PRELIMINARY HT-3201 High-Temperature Silicon Carbide (SiC) Half-Bridge Power Module N-Channel MOSFET Version FEATURES 1200 V / 3.6 m Industry standard footprint High temperature T = 225 C c(max) T = 225 C J(max) AS9100 Rev. C-certified manufacturing, traceable throughout value chain Ultra-fast switching (

Другие IGBT... HFW6N90, HFW8N65U, HFW9N50, HP8KA1, HRD13N10K, HRP75N75V, HRS75N75V, HS8K11, AON6414A, HTMN5130SSD, HUF75329D3ST, HUF75332S3ST, HUF75337S3, HUF75343S3, HUF75343S3ST, HUF75344A3, HUF75345S3