HT-3201 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HT-3201
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2000 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 1200 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V
Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5.25 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 433 A
Максимальная температура канала (Tj): 225 °C
Общий заряд затвора (Qg): 1.253 nC
Время нарастания (tr): 50 ns
Выходная емкость (Cd): 1540 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0036 Ohm
Тип корпуса: MODULE
HT-3201 Datasheet (PDF)
1.1. ht-3201.pdf 
Size:756K _apei
PRELIMINARY HT-3201 High-Temperature Silicon Carbide (SiC) Half-Bridge Power Module N-Channel MOSFET Version FEATURES 1200 V / 3.6 m Industry standard footprint High temperature: T = 225 C c(max) T = 225 C J(max) AS9100:Rev. C-certified manufacturing, traceable throughout value chain Ultra-fast switching (<30 ns), low inductance Enables hi
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
