Справочник MOSFET. HT-3201

 

HT-3201 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: HT-3201

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2000 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 1200 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5.25 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 433 A

Максимальная температура канала (Tj): 225 °C

Общий заряд затвора (Qg): 1.253 nC

Время нарастания (tr): 50 ns

Выходная емкость (Cd): 1540 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0036 Ohm

Тип корпуса: MODULE

Аналог (замена) для HT-3201

 

 

HT-3201 Datasheet (PDF)

1.1. ht-3201.pdf Size:756K _apei

HT-3201
HT-3201

 PRELIMINARY HT-3201 High-Temperature Silicon Carbide (SiC) Half-Bridge Power Module N-Channel MOSFET Version FEATURES 1200 V / 3.6 m  Industry standard footprint  High temperature: T = 225 C c(max) T = 225 C J(max)  AS9100:Rev. C-certified manufacturing, traceable throughout value chain  Ultra-fast switching (<30 ns), low inductance  Enables hi

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top