HTMN5130SSD MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HTMN5130SSD
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 8.9 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 2.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 97.8 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.13 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HTMN5130SSD

HTMN5130SSD Datasheet (PDF)

..1. Size:311K diodes
htmn5130ssd.pdf

HTMN5130SSD55V DUAL N-CHANNEL 175C MOSFET Product Summary Features and Benefits ID Low Input Capacitance V(BR)DSS RDS(on) max TA = +25C Low On-Resistance Fast Switching Speed 130m @ VGS = 10V 2.86 A 55V Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) 200m @ VGS = 4.5V 2.3 A Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3) Qua

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