HTMN5130SSD MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HTMN5130SSD

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.7 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 55 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 2.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 97.8 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.13 Ohm

Encapsulados: SO-8

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HTMN5130SSD datasheet

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HTMN5130SSD

HTMN5130SSD 55V DUAL N-CHANNEL 175 C MOSFET Product Summary Features and Benefits ID Low Input Capacitance V(BR)DSS RDS(on) max TA = +25 C Low On-Resistance Fast Switching Speed 130m @ VGS = 10V 2.86 A 55V Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) 200m @ VGS = 4.5V 2.3 A Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3) Qua

Otros transistores... HFW8N65U, HFW9N50, HP8KA1, HRD13N10K, HRP75N75V, HRS75N75V, HS8K11, HT-3201, IRF3710, HUF75329D3ST, HUF75332S3ST, HUF75337S3, HUF75343S3, HUF75343S3ST, HUF75344A3, HUF75345S3, HUF75345S3ST