HTMN5130SSD - аналоги и даташиты транзистора

 

HTMN5130SSD - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: HTMN5130SSD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 2.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 97.8 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для HTMN5130SSD

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HTMN5130SSD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:311K  diodes
 htmn5130ssd.pdf pdf_icon

HTMN5130SSD

HTMN5130SSD55V DUAL N-CHANNEL 175C MOSFET Product Summary Features and Benefits ID Low Input Capacitance V(BR)DSS RDS(on) max TA = +25C Low On-Resistance Fast Switching Speed 130m @ VGS = 10V 2.86 A 55V Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) 200m @ VGS = 4.5V 2.3 A Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3) Qua

Другие MOSFET... HFW8N65U , HFW9N50 , HP8KA1 , HRD13N10K , HRP75N75V , HRS75N75V , HS8K11 , HT-3201 , IRF3710 , HUF75329D3ST , HUF75332S3ST , HUF75337S3 , HUF75343S3 , HUF75343S3ST , HUF75344A3 , HUF75345S3 , HUF75345S3ST .

History: VBZE06N02 | VBZC8205B | VBZE04N03 | STD3NM50T4 | HM3207D | VBZC8205A

 

 
Back to Top

 


 
.