Справочник MOSFET. HTMN5130SSD

 

HTMN5130SSD Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HTMN5130SSD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 2.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 97.8 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HTMN5130SSD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:311K  diodes
 htmn5130ssd.pdf pdf_icon

HTMN5130SSD

HTMN5130SSD55V DUAL N-CHANNEL 175C MOSFET Product Summary Features and Benefits ID Low Input Capacitance V(BR)DSS RDS(on) max TA = +25C Low On-Resistance Fast Switching Speed 130m @ VGS = 10V 2.86 A 55V Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) 200m @ VGS = 4.5V 2.3 A Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3) Qua

Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , IRFZ48N , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .

History: DMN3052LSS | FHF630A

 

 
Back to Top

 


 
.