HTMN5130SSD. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HTMN5130SSD

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 2.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 97.8 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для HTMN5130SSD

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HTMN5130SSD даташит

 ..1. Size:311K  diodes
 htmn5130ssd.pdf pdf_icon

HTMN5130SSD

HTMN5130SSD 55V DUAL N-CHANNEL 175 C MOSFET Product Summary Features and Benefits ID Low Input Capacitance V(BR)DSS RDS(on) max TA = +25 C Low On-Resistance Fast Switching Speed 130m @ VGS = 10V 2.86 A 55V Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) 200m @ VGS = 4.5V 2.3 A Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3) Qua

Другие IGBT... HFW8N65U, HFW9N50, HP8KA1, HRD13N10K, HRP75N75V, HRS75N75V, HS8K11, HT-3201, IRF3710, HUF75329D3ST, HUF75332S3ST, HUF75337S3, HUF75343S3, HUF75343S3ST, HUF75344A3, HUF75345S3, HUF75345S3ST