HUF75545S3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HUF75545S3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 270 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 80 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 125 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1100 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm

Encapsulados: TO-262AA

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HUF75545S3 datasheet

 ..1. Size:270K  fairchild semi
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HUF75545S3

HUF75545P3, HUF75545S3, HUF75545S3S Data Sheet September 2002 75A, 80V, 0.010 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFET Packaging JEDEC TO-220AB JEDEC TO-263AB DRAIN Features SOURCE (FLANGE) DRAIN GATE Ultra Low On-Resistance - rDS(ON) = 0.010 , VGS = 10V GATE Simulation Models SOURCE - Temperature Compensated PSPICE and SABER DRAIN Electrical Models (FLANG

 ..2. Size:267K  fairchild semi
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HUF75545S3

HUF75545P3, HUF75545S3, HUF75545S3S Data Sheet September 2002 75A, 80V, 0.010 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFET Packaging JEDEC TO-220AB JEDEC TO-263AB DRAIN Features SOURCE (FLANGE) DRAIN GATE Ultra Low On-Resistance - rDS(ON) = 0.010 , VGS = 10V GATE Simulation Models SOURCE - Temperature Compensated PSPICE and SABER DRAIN Electrical Models (FLANG

 0.1. Size:805K  onsemi
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HUF75545S3

HUF75545P3, HUF75545S3S Data Sheet October 2013 N-Channel UltraFET Power MOSFET 80 V, 75 A, 10 m Features Packaging Ultra Low On-Resistance - rDS(ON) = 0.010 , VGS = 10V JEDEC TO-220AB JEDEC TO-263AB DRAIN Simulation Models SOURCE (FLANGE) DRAIN - Temperature Compensated PSPICE and SABER GATE Electrical Models GATE - Spice and SABER Thermal Impedance Models

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HUF75545S3

HUF75542P3, HUF75542S3S Data Sheet December 2001 75A, 80V, 0.014 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETs Packaging JEDEC TO-220AB JEDEC TO-263AB Features SOURCE DRAIN Ultra Low On-Resistance GATE - rDS(ON) = 0.014 , VGS = 10V Simulation Models GATE - Temperature Compensated PSPICE and SABER SOURCE Electrical Models DRAIN - Spice and SABER Thermal Impedance Model

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