Справочник MOSFET. HUF75545S3

 

HUF75545S3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HUF75545S3
   Маркировка: 75545S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 270 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 195 nC
   trⓘ - Время нарастания: 125 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1100 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: TO-262AA
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HUF75545S3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:270K  fairchild semi
 huf75545p3 huf75545s3 huf75545s3s.pdf pdf_icon

HUF75545S3

HUF75545P3, HUF75545S3, HUF75545S3SData Sheet September 200275A, 80V, 0.010 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETPackagingJEDEC TO-220AB JEDEC TO-263ABDRAINFeaturesSOURCE (FLANGE)DRAINGATE Ultra Low On-Resistance- rDS(ON) = 0.010, VGS = 10VGATE Simulation ModelsSOURCE- Temperature Compensated PSPICE and SABER DRAINElectrical Models (FLANG

 ..2. Size:267K  fairchild semi
 huf75545s3 huf75545s3st.pdf pdf_icon

HUF75545S3

HUF75545P3, HUF75545S3, HUF75545S3SData Sheet September 200275A, 80V, 0.010 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETPackagingJEDEC TO-220AB JEDEC TO-263ABDRAINFeaturesSOURCE (FLANGE)DRAINGATE Ultra Low On-Resistance- rDS(ON) = 0.010, VGS = 10VGATE Simulation ModelsSOURCE- Temperature Compensated PSPICE and SABER DRAINElectrical Models (FLANG

 0.1. Size:805K  onsemi
 huf75545p3 huf75545s3s.pdf pdf_icon

HUF75545S3

HUF75545P3, HUF75545S3SData Sheet October 2013N-Channel UltraFET Power MOSFET80 V, 75 A, 10 mFeaturesPackaging Ultra Low On-Resistance- rDS(ON) = 0.010, VGS = 10VJEDEC TO-220AB JEDEC TO-263ABDRAIN Simulation ModelsSOURCE (FLANGE)DRAIN- Temperature Compensated PSPICE and SABERGATEElectrical ModelsGATE- Spice and SABER Thermal Impedance Models

 7.1. Size:192K  fairchild semi
 huf75542p3-s3s.pdf pdf_icon

HUF75545S3

HUF75542P3, HUF75542S3SData Sheet December 200175A, 80V, 0.014 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETsPackagingJEDEC TO-220AB JEDEC TO-263ABFeaturesSOURCEDRAIN Ultra Low On-ResistanceGATE- rDS(ON) = 0.014, VGS = 10V Simulation ModelsGATE- Temperature Compensated PSPICE and SABER SOURCEElectrical ModelsDRAIN- Spice and SABER Thermal Impedance Model

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: UTD436 | UTT108N03 | SWP740D | CEDM7001 | CEDM8001 | SVG087R0NT | HUF75639S3ST

 

 
Back to Top

 


 
.