HUF76445S3ST Todos los transistores

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HUF76445S3ST MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HUF76445S3ST

Código: 76445S

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 310 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 16 V

Corriente continua de drenaje (Id): 75 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 3 V

Carga de compuerta (Qg): 124 nC

Tiempo de elevación (tr): 325 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1250 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0065 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-263AB

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HUF76445S3ST Datasheet (PDF)

1.1. huf76445s3st.pdf Size:207K _update_mosfet

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HUF76445P3, HUF76445S3S Data Sheet December 2001 75A, 60V, 0.0075 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET® Power MOSFET Packaging Features JEDEC TO-220AB JEDEC TO-263AB • Ultra Low On-Resistance SOURCE DRAIN - rDS(ON) = 0.0065Ω, VGS = 10V DRAIN (FLANGE) GATE - rDS(ON) = 0.0075Ω, VGS = 5V • Simulation Models GATE - Temperature Compensated PSPICE® and SABER™ SOURCE

2.1. huf76445p3-s3s.pdf Size:214K _fairchild_semi

HUF76445S3ST
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HUF76445P3, HUF76445S3S Data Sheet December 2001 75A, 60V, 0.0075 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET® Power MOSFET Packaging Features JEDEC TO-220AB JEDEC TO-263AB • Ultra Low On-Resistance SOURCE DRAIN - rDS(ON) = 0.0065Ω, VGS = 10V DRAIN (FLANGE) GATE - rDS(ON) = 0.0075Ω, VGS = 5V • Simulation Models GATE - Temperature Compensated PSPICE® and SABER™ SOURCE

 3.1. huf76443p3-s3s.pdf Size:217K _fairchild_semi

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HUF76443P3, HUF76443S3S Data Sheet December 2001 75A, 60V, 0.0095 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET® Power MOSFET Packaging Features JEDEC TO-220AB JEDEC TO-263AB • Ultra Low On-Resistance SOURCE DRAIN - rDS(ON) = 0.008Ω, VGS = 10V DRAIN (FLANGE) GATE - rDS(ON) = 0.0095Ω, VGS = 5V • Simulation Models GATE - Temperature Compensated PSPICE® and SABER™ SOURCE E

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