Справочник MOSFET. HUF76445S3ST

 

HUF76445S3ST MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: HUF76445S3ST

Маркировка: 76445S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 310 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 16 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 75 A

Максимальная температура канала (Tj): 175 °C

Общий заряд затвора (Qg): 124 nC

Время нарастания (tr): 325 ns

Выходная емкость (Cd): 1250 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0065 Ohm

Тип корпуса: TO-263AB

Аналог (замена) для HUF76445S3ST

 

 

HUF76445S3ST Datasheet (PDF)

1.1. huf76445s3st.pdf Size:207K _update_mosfet

HUF76445S3ST
HUF76445S3ST

HUF76445P3, HUF76445S3S Data Sheet December 2001 75A, 60V, 0.0075 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET® Power MOSFET Packaging Features JEDEC TO-220AB JEDEC TO-263AB • Ultra Low On-Resistance SOURCE DRAIN - rDS(ON) = 0.0065Ω, VGS = 10V DRAIN (FLANGE) GATE - rDS(ON) = 0.0075Ω, VGS = 5V • Simulation Models GATE - Temperature Compensated PSPICE® and SABER™ SOURCE

2.1. huf76445p3-s3s.pdf Size:214K _fairchild_semi

HUF76445S3ST
HUF76445S3ST

HUF76445P3, HUF76445S3S Data Sheet December 2001 75A, 60V, 0.0075 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET® Power MOSFET Packaging Features JEDEC TO-220AB JEDEC TO-263AB • Ultra Low On-Resistance SOURCE DRAIN - rDS(ON) = 0.0065Ω, VGS = 10V DRAIN (FLANGE) GATE - rDS(ON) = 0.0075Ω, VGS = 5V • Simulation Models GATE - Temperature Compensated PSPICE® and SABER™ SOURCE

 3.1. huf76443p3-s3s.pdf Size:217K _fairchild_semi

HUF76445S3ST
HUF76445S3ST

HUF76443P3, HUF76443S3S Data Sheet December 2001 75A, 60V, 0.0095 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET® Power MOSFET Packaging Features JEDEC TO-220AB JEDEC TO-263AB • Ultra Low On-Resistance SOURCE DRAIN - rDS(ON) = 0.008Ω, VGS = 10V DRAIN (FLANGE) GATE - rDS(ON) = 0.0095Ω, VGS = 5V • Simulation Models GATE - Temperature Compensated PSPICE® and SABER™ SOURCE E

Другие MOSFET... HUF76145S3 , HUF76407D3ST , HUF76419D3ST , HUF76419S3ST , HUF76429D3ST , HUF76429S3ST , HUF76437S3ST , HUF76439S3ST , BF245C , HUF76609D3ST , HUF76619D3ST , HUF76629D3ST , HUF76633S3ST , HUFA75307D3 , HUFA75307D3S , HUFA75307D3ST , HUFA75307P3 .

 

 

Back to Top