HUFA76429S3S Todos los transistores

 

HUFA76429S3S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HUFA76429S3S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 110 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 47 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 203 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 440 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263AB
 

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HUFA76429S3S Datasheet (PDF)

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HUFA76429S3S

HUFA76429P3, HUFA76429S3SData Sheet December 200144A, 60V, 0.025 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETsPackagingFeaturesJEDEC TO-220AB JEDEC TO-263AB Ultra Low On-ResistanceSOURCE DRAIN- rDS(ON) = 0.022, VGS = 10VDRAIN (FLANGE)GATE- rDS(ON) = 0.025, VGS = 5V Simulation ModelsGATE- Temperature Compensated PSPICE and SABER SOURCEE

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HUFA76429S3S

HUFA76429D3, HUFA76429D3SData Sheet December 200120A, 60V, 0.027 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETsPackagingJEDEC TO-251AA JEDEC TO-252AAFeatures Ultra Low On-ResistanceDRAIN- rDS(ON) = 0.023, VGS = 10VSOURCE (FLANGE)DRAIN- rDS(ON) = 0.027, VGS = 5VGATE Simulation ModelsGATE- Temperature Compensated PSPICE and SABER SOURCEEl

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HUFA76429S3S

HUFA76429D3, HUFA76429D3SData Sheet December 200120A, 60V, 0.027 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETsPackagingJEDEC TO-251AA JEDEC TO-252AAFeatures Ultra Low On-ResistanceDRAIN- rDS(ON) = 0.023, VGS = 10VSOURCE (FLANGE)DRAIN- rDS(ON) = 0.027, VGS = 5VGATE Simulation ModelsGATE- Temperature Compensated PSPICE and SABER SOURCEEl

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HUFA76429S3S

HUFA76429D3Data Sheet October 2013N-Channel Logic Level UltraFET Power MOSFET60 V, 20 A, 27 mPackagingFeaturesJEDEC TO-251AA Ultra Low On-Resistance- rDS(ON) = 0.023, VGS = 10VSOURCE- rDS(ON) = 0.027, VGS = 5VDRAINGATE Simulation Models- Temperature Compensated PSPICE and SABERElectriecal ModelsDRAIN - Spice and SABER Thermal Impedance Models

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History: AP2910EC4 | S-LP2307LT1G | HGW059N12S | PMPB47XP | CEP13N10 | MPSY65M170 | PMG85XP

 

 
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