Справочник MOSFET. HUFA76429S3S

 

HUFA76429S3S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HUFA76429S3S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 47 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 203 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 440 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
   Тип корпуса: TO-263AB
 

 Аналог (замена) для HUFA76429S3S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HUFA76429S3S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:206K  fairchild semi
 hufa76429p3 hufa76429s3s hufa76429s3st.pdf pdf_icon

HUFA76429S3S

HUFA76429P3, HUFA76429S3SData Sheet December 200144A, 60V, 0.025 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETsPackagingFeaturesJEDEC TO-220AB JEDEC TO-263AB Ultra Low On-ResistanceSOURCE DRAIN- rDS(ON) = 0.022, VGS = 10VDRAIN (FLANGE)GATE- rDS(ON) = 0.025, VGS = 5V Simulation ModelsGATE- Temperature Compensated PSPICE and SABER SOURCEE

 5.1. Size:229K  fairchild semi
 hufa76429d3.pdf pdf_icon

HUFA76429S3S

HUFA76429D3, HUFA76429D3SData Sheet December 200120A, 60V, 0.027 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETsPackagingJEDEC TO-251AA JEDEC TO-252AAFeatures Ultra Low On-ResistanceDRAIN- rDS(ON) = 0.023, VGS = 10VSOURCE (FLANGE)DRAIN- rDS(ON) = 0.027, VGS = 5VGATE Simulation ModelsGATE- Temperature Compensated PSPICE and SABER SOURCEEl

 5.2. Size:144K  fairchild semi
 hufa76429d3s hufa76429d3st.pdf pdf_icon

HUFA76429S3S

HUFA76429D3, HUFA76429D3SData Sheet December 200120A, 60V, 0.027 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETsPackagingJEDEC TO-251AA JEDEC TO-252AAFeatures Ultra Low On-ResistanceDRAIN- rDS(ON) = 0.023, VGS = 10VSOURCE (FLANGE)DRAIN- rDS(ON) = 0.027, VGS = 5VGATE Simulation ModelsGATE- Temperature Compensated PSPICE and SABER SOURCEEl

 5.3. Size:638K  onsemi
 hufa76429d3.pdf pdf_icon

HUFA76429S3S

HUFA76429D3Data Sheet October 2013N-Channel Logic Level UltraFET Power MOSFET60 V, 20 A, 27 mPackagingFeaturesJEDEC TO-251AA Ultra Low On-Resistance- rDS(ON) = 0.023, VGS = 10VSOURCE- rDS(ON) = 0.027, VGS = 5VDRAINGATE Simulation Models- Temperature Compensated PSPICE and SABERElectriecal ModelsDRAIN - Spice and SABER Thermal Impedance Models

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... HUFA76423D3S , HUFA76423D3ST , HUFA76423P3 , HUFA76423S3S , HUFA76423S3ST , HUFA76429D3S , HUFA76429D3ST , HUFA76429P3 , IRF530 , HUFA76429S3ST , HUFA76432P3 , HUFA76432S3S , HUFA76432S3ST , HUFA76437P3 , HUFA76437S3S , HUFA76437S3ST , HUFA76439P3 .

History: IXFR20N80P | AOK40N30 | IXTH3N100P

 

 
Back to Top

 


 
.