IXTU01N100 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IXTU01N100
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 6.9 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 80 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251AA

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXTU01N100

IXTU01N100 Datasheet (PDF)

..1. Size:85K ixys
ixtu01n100 ixty01n100.pdf

IXTU 01N100VDSS = 1000 VHigh Voltage MOSFETIXTY 01N100ID25 = 100mAN-Channel, Enhancement ModeRDS(on) = 80 Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-251 AA (IXTU)01N100VDSS TJ = 25C to 150C 1000 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 1000 VGVGS Continuous 20 VDD (TAB)SVGSM Transient 30 VID25 TC = 25C; TJ = 25C to 150C 100 mAIDM

0.1. Size:94K ixys
ixtp01n100d ixtu01n100d ixty01n100d.pdf

IXTP 01N100DVDSS = 1000 VHigh Voltage MOSFETIXTU 01N100DID25 = 100 mAN-Channel, Depletion ModeIXTY 01N100DRDS(on) = 110 Preliminary Data SheetSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-220 (IXTP)VDSX TJ = 25C to 150C 1000 VVDGX TJ = 25C to 150C 1000 VVGS Continuous 20 VD (TAB)GVGSM Transient 30 VDSIDSS TC = 25C; TJ = 25C to

7.1. Size:66K ixys
ixtu01n80 ixty01n80.pdf

IXTU 01N80VDSS = 800 VHigh Voltage MOSFETIXTY 01N80ID25 = 100mAN-Channel, Enhancement ModeRDS(on) = 50 Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-251 AA (IXTU)01N100VDSS TJ = 25C to 150C 800 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 800 VGVGS Continuous 20 VDD (TAB)SVGSM Transient 30 VID25 TC = 25C; TJ = 25C to 150C 100 mAID

9.1. Size:94K ixys
ixtp02n50d ixtu02n50d ixty02n50d.pdf

IXTP 02N50DVDSS = 500 VHigh Voltage MOSFETIXTU 02N50DID25 = 200 mAN-Channel, Depletion ModeIXTY 02N50DRDS(on) = 30 Preliminary Data SheetSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-220 (IXTP)VDSX TJ = 25C to 150C 500 VVDGX TJ = 25C to 150C 500 VVGS Continuous 20 VD (TAB)VGSM Transient 30 VGDSIDSS TC = 25C; TJ = 25C to 150C

Otros transistores... IXTP30N08MA , IXTP30N08MB , IXTP30N10MA , IXTP30N10MB , IXTP8N45MA , IXTP8N45MB , IXTP8N50MA , IXTP8N50MB , IRF830 , IXTU01N80 , IXTZ20N60MA , IXTZ20N60MB , IXTZ24N50MA , IXTZ24N50MB , IXTZ27N40MA , IXTZ27N40MB , IXTZ35N25MA .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: