Справочник MOSFET. IXTU01N100

 

IXTU01N100 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTU01N100
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 6.9 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 6.9 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 80 Ohm
   Тип корпуса: TO251AA
 

 Аналог (замена) для IXTU01N100

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTU01N100 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:85K  ixys
 ixtu01n100 ixty01n100.pdf pdf_icon

IXTU01N100

IXTU 01N100VDSS = 1000 VHigh Voltage MOSFETIXTY 01N100ID25 = 100mAN-Channel, Enhancement ModeRDS(on) = 80 Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-251 AA (IXTU)01N100VDSS TJ = 25C to 150C 1000 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 1000 VGVGS Continuous 20 VDD (TAB)SVGSM Transient 30 VID25 TC = 25C; TJ = 25C to 150C 100 mAIDM

 0.1. Size:94K  ixys
 ixtp01n100d ixtu01n100d ixty01n100d.pdf pdf_icon

IXTU01N100

IXTP 01N100DVDSS = 1000 VHigh Voltage MOSFETIXTU 01N100DID25 = 100 mAN-Channel, Depletion ModeIXTY 01N100DRDS(on) = 110 Preliminary Data SheetSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-220 (IXTP)VDSX TJ = 25C to 150C 1000 VVDGX TJ = 25C to 150C 1000 VVGS Continuous 20 VD (TAB)GVGSM Transient 30 VDSIDSS TC = 25C; TJ = 25C to

 7.1. Size:66K  ixys
 ixtu01n80 ixty01n80.pdf pdf_icon

IXTU01N100

IXTU 01N80VDSS = 800 VHigh Voltage MOSFETIXTY 01N80ID25 = 100mAN-Channel, Enhancement ModeRDS(on) = 50 Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-251 AA (IXTU)01N100VDSS TJ = 25C to 150C 800 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 800 VGVGS Continuous 20 VDD (TAB)SVGSM Transient 30 VID25 TC = 25C; TJ = 25C to 150C 100 mAID

 9.1. Size:94K  ixys
 ixtp02n50d ixtu02n50d ixty02n50d.pdf pdf_icon

IXTU01N100

IXTP 02N50DVDSS = 500 VHigh Voltage MOSFETIXTU 02N50DID25 = 200 mAN-Channel, Depletion ModeIXTY 02N50DRDS(on) = 30 Preliminary Data SheetSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-220 (IXTP)VDSX TJ = 25C to 150C 500 VVDGX TJ = 25C to 150C 500 VVGS Continuous 20 VD (TAB)VGSM Transient 30 VGDSIDSS TC = 25C; TJ = 25C to 150C

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IXTP30N08MA , IXTP30N08MB , IXTP30N10MA , IXTP30N10MB , IXTP8N45MA , IXTP8N45MB , IXTP8N50MA , IXTP8N50MB , IRFP064N , IXTU01N80 , IXTZ20N60MA , IXTZ20N60MB , IXTZ24N50MA , IXTZ24N50MB , IXTZ27N40MA , IXTZ27N40MB , IXTZ35N25MA .

 

 
Back to Top

 


 
.