WFD20N06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WFD20N06
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 36 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 12.6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 68 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.039 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de WFD20N06 MOSFET
WFD20N06 Datasheet (PDF)
wfd20n06.pdf

WFD20N06Silicon N-Channel MOSFET Features 20A,60V, RDS(on)(Max 39m)@VGS=10V Ultra-low Gate Charge(Typical 6.1nC) High Current Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150) General Description This Power MO S FET is produced using Win se m i s advanced planar stripe, This latest technology has been especially designed t
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History: FQB13N50CTM | HGN110N10SL | SM2620CSC | CJPF04N65A | CJPF04N80 | DHBSJ13N65
History: FQB13N50CTM | HGN110N10SL | SM2620CSC | CJPF04N65A | CJPF04N80 | DHBSJ13N65



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: SSC8P22CN2 | SSC8P22AN3 | SSC8P20AN2 | SSC8K23GN2 | SSC8K21GN3 | SSC8415GS6 | AP20P01BF | AP20N10D | AP20N06S | AP20N06D | AP20N06BD | AP20N03D | AP20N02DF | AP20N02BF | AP20H04NF | AP20H03NF
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