WFD20N06 Todos los transistores

 

WFD20N06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WFD20N06
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 36 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 68 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.039 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
     - Selección de transistores por parámetros

 

WFD20N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:267K  winsemi
 wfd20n06.pdf pdf_icon

WFD20N06

WFD20N06Silicon N-Channel MOSFET Features 20A,60V, RDS(on)(Max 39m)@VGS=10V Ultra-low Gate Charge(Typical 6.1nC) High Current Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150) General Description This Power MO S FET is produced using Win se m i s advanced planar stripe, This latest technology has been especially designed t

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History: IRFB5620PBF | MTN50N06E3 | SSFT4004 | SFF230Z | CPC3730 | IPI051N15N5 | SM3116NAF

 

 
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