WFD20N06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WFD20N06
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 36 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 20 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
Carga de la puerta (Qg): 7.6 nC
Tiempo de subida (tr): 12.6 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 68 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.039 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET WFD20N06
WFD20N06 Datasheet (PDF)
wfd20n06.pdf
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WFD20N06Silicon N-Channel MOSFET Features 20A,60V, RDS(on)(Max 39m)@VGS=10V Ultra-low Gate Charge(Typical 6.1nC) High Current Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150) General Description This Power MO S FET is produced using Win se m i s advanced planar stripe, This latest technology has been especially designed t
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