WFD20N06. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WFD20N06

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 68 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.039 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для WFD20N06

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WFD20N06 даташит

 ..1. Size:267K  winsemi
 wfd20n06.pdf pdf_icon

WFD20N06

WFD20N06 Silicon N-Channel MOSFET Features 20A,60V, RDS(on)(Max 39m )@VGS=10V Ultra-low Gate Charge(Typical 6.1nC) High Current Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150 ) General Description This Power MO S FET is produced using Win se m i s advanced planar stripe, This latest technology has been especially designed t

Другие IGBT... HUFA76639P3, HUFA76639S3S, HUFA76639S3ST, HUFA76645P3, HUFA76645S3S, HUFA76645S3ST, VTI634, WFD1N60, 7N60, WFD2N60, WFD2N60B, WFD4N60, WFD4N60B, WFD5N50, WFD5N60B, WFD5N60C, WFD830