WFD20N06 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: WFD20N06
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 12.6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 68 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.039 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для WFD20N06
WFD20N06 Datasheet (PDF)
wfd20n06.pdf

WFD20N06Silicon N-Channel MOSFET Features 20A,60V, RDS(on)(Max 39m)@VGS=10V Ultra-low Gate Charge(Typical 6.1nC) High Current Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150) General Description This Power MO S FET is produced using Win se m i s advanced planar stripe, This latest technology has been especially designed t
Другие MOSFET... HUFA76639P3 , HUFA76639S3S , HUFA76639S3ST , HUFA76645P3 , HUFA76645S3S , HUFA76645S3ST , VTI634 , WFD1N60 , IRF830 , WFD2N60 , WFD2N60B , WFD4N60 , WFD4N60B , WFD5N50 , WFD5N60B , WFD5N60C , WFD830 .
History: IXTV86N25T | IXTV280N055TS
History: IXTV86N25T | IXTV280N055TS



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SSC8P22CN2 | SSC8P22AN3 | SSC8P20AN2 | SSC8K23GN2 | SSC8K21GN3 | SSC8415GS6 | AP20P01BF | AP20N10D | AP20N06S | AP20N06D | AP20N06BD | AP20N03D | AP20N02DF | AP20N02BF | AP20H04NF | AP20H03NF
Popular searches
p0903bdg | c1384 transistor | 2sc1175 | 2sc632 | mje15030 transistor equivalent | 13003b | 2n6121 | 2sc1312