WFF12N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WFF12N60
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 51 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 12 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.5 V
Carga de la puerta (Qg): 39 nC
Tiempo de subida (tr): 133 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 175 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.65 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220F
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WFF12N60 Datasheet (PDF)
wff12n60.pdf
WFF12N60WFF12N60WFF12N60WFF12N60Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeaturesFeaturesFeaturesFeatures 12A, 600V,R (Max 0.65)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 39nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Isolation Voltage ( V = 4000V AC )ISO Maximum Junction T
wff12n65.pdf
WFF12N65WFF12N65WFF12N65WFF12N65Silicon N-Channel MOSFETFeatures 12A,650V,RDS(on)(Max0.78)@VGS=10V Ultra-low Gate Charge(Typical 51.7nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis Power MOSFET is produced using Winsemi s advancedplanar stripe, VDMOS technology. This latest technol
wff12n70s.pdf
WFF12N70SWFF12N70SWFF12N70SWFF12N70S700V Super-Junction Power MOSFET700V Super-Junction Power MOSFET700V Super-Junction Power MOSFET700V Super-Junction Power MOSFETFeatures Ultra low Rdson Ultra low gate charge (typ. Qg = 34nC) 100% UIS tested RoHS compliant Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionPower MOSFET is fabricated using
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