WFF12N60 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: WFF12N60
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 51 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 12 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 39 nC
Время нарастания (tr): 133 ns
Выходная емкость (Cd): 175 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.65 Ohm
Тип корпуса: TO-220F
WFF12N60 Datasheet (PDF)
wff12n60.pdf
WFF12N60WFF12N60WFF12N60WFF12N60Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeaturesFeaturesFeaturesFeatures 12A, 600V,R (Max 0.65)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 39nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Isolation Voltage ( V = 4000V AC )ISO Maximum Junction T
wff12n65.pdf
WFF12N65WFF12N65WFF12N65WFF12N65Silicon N-Channel MOSFETFeatures 12A,650V,RDS(on)(Max0.78)@VGS=10V Ultra-low Gate Charge(Typical 51.7nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis Power MOSFET is produced using Winsemi s advancedplanar stripe, VDMOS technology. This latest technol
wff12n70s.pdf
WFF12N70SWFF12N70SWFF12N70SWFF12N70S700V Super-Junction Power MOSFET700V Super-Junction Power MOSFET700V Super-Junction Power MOSFET700V Super-Junction Power MOSFETFeatures Ultra low Rdson Ultra low gate charge (typ. Qg = 34nC) 100% UIS tested RoHS compliant Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionPower MOSFET is fabricated using
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
