WFF15N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WFF15N60
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 53 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 78 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.52 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220F
Búsqueda de reemplazo de WFF15N60 MOSFET
WFF15N60 Datasheet (PDF)
wff15n60.pdf

WFF15N60WFF15N60WFF15N60WFF15N60Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 15A,600V, R (Max0.52)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 36nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis Power MOSFET is produce
Otros transistores... WFD830 , WFD830B , WFF10N60 , WFF10N65 , WFF12N60 , WFF12N65 , WFF12N70S , WFF13N50 , IRFP064N , WFF18N50 , WFF20N60 , WFF20N60S , WFF2N60 , WFF2N60B , PJA138K , PJA3400 , PJA3401 .
History: WFW18N50W | AOT254L | IPB80P03P4-05 | DMP1022UFDE | SPB10N10LG | SVF840MJ | HGA195N15S
History: WFW18N50W | AOT254L | IPB80P03P4-05 | DMP1022UFDE | SPB10N10LG | SVF840MJ | HGA195N15S



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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