Справочник MOSFET. WFF15N60

 

WFF15N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WFF15N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 53 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 78 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.52 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

WFF15N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:422K  winsemi
wff15n60.pdfpdf_icon

WFF15N60

WFF15N60WFF15N60WFF15N60WFF15N60Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 15A,600V, R (Max0.52)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 36nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis Power MOSFET is produce

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: IRC240 | DMN3020LK3 | STD30PF03L | STM6708 | VBA3638 | BUK9MJJ-55PSS | IXFP18N65X2

 

 
Back to Top

 


 
.