Справочник MOSFET. WFF15N60

 

WFF15N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WFF15N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 53 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 78 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.52 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для WFF15N60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WFF15N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:422K  winsemi
 wff15n60.pdf pdf_icon

WFF15N60

WFF15N60WFF15N60WFF15N60WFF15N60Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 15A,600V, R (Max0.52)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 36nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis Power MOSFET is produce

Другие MOSFET... WFD830 , WFD830B , WFF10N60 , WFF10N65 , WFF12N60 , WFF12N65 , WFF12N70S , WFF13N50 , IRFP064N , WFF18N50 , WFF20N60 , WFF20N60S , WFF2N60 , WFF2N60B , PJA138K , PJA3400 , PJA3401 .

History: CJ3139KDW | CEB6060N | FDS5170N7 | IXTQ96N15P

 

 
Back to Top

 


 
.