WFF15N60. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WFF15N60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 53 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 78 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.52 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для WFF15N60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WFF15N60 даташит

 ..1. Size:422K  winsemi
 wff15n60.pdf pdf_icon

WFF15N60

WFF15N60 WFF15N60 WFF15N60 WFF15N60 Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features 15A,600V, R (Max0.52 )@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 36nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150 ) General Description This Power MOSFET is produce

Другие IGBT... WFD830, WFD830B, WFF10N60, WFF10N65, WFF12N60, WFF12N65, WFF12N70S, WFF13N50, AO4468, WFF18N50, WFF20N60, WFF20N60S, WFF2N60, WFF2N60B, PJA138K, PJA3400, PJA3401