WFF18N50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WFF18N50
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 69 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.27 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220F
Búsqueda de reemplazo de WFF18N50 MOSFET
WFF18N50 Datasheet (PDF)
wff18n50.pdf

WFF18N50WFF18N50WFF18N50WFF18N50Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 18A,500V,R (Max0.27)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 42nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis Power MOSFET is produced
Otros transistores... WFD830B , WFF10N60 , WFF10N65 , WFF12N60 , WFF12N65 , WFF12N70S , WFF13N50 , WFF15N60 , BS170 , WFF20N60 , WFF20N60S , WFF2N60 , WFF2N60B , PJA138K , PJA3400 , PJA3401 , PJA3402 .
History: CSD17578Q3A | MMN6680 | STN1NK80Z | IRFS832 | ELM16400EA | FQP32N12V2 | ZXMP6A13F
History: CSD17578Q3A | MMN6680 | STN1NK80Z | IRFS832 | ELM16400EA | FQP32N12V2 | ZXMP6A13F



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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