WFF18N50. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WFF18N50

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 69 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.27 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для WFF18N50

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WFF18N50 даташит

 ..1. Size:608K  winsemi
 wff18n50.pdf pdf_icon

WFF18N50

WFF18N50 WFF18N50 WFF18N50 WFF18N50 Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features 18A,500V,R (Max0.27 )@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 42nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150 ) General Description This Power MOSFET is produced

Другие IGBT... WFD830B, WFF10N60, WFF10N65, WFF12N60, WFF12N65, WFF12N70S, WFF13N50, WFF15N60, IRF730, WFF20N60, WFF20N60S, WFF2N60, WFF2N60B, PJA138K, PJA3400, PJA3401, PJA3402