Справочник MOSFET. WFF18N50

 

WFF18N50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WFF18N50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 69 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.27 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для WFF18N50

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WFF18N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:608K  winsemi
 wff18n50.pdf pdf_icon

WFF18N50

WFF18N50WFF18N50WFF18N50WFF18N50Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 18A,500V,R (Max0.27)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 42nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis Power MOSFET is produced

Другие MOSFET... WFD830B , WFF10N60 , WFF10N65 , WFF12N60 , WFF12N65 , WFF12N70S , WFF13N50 , WFF15N60 , BS170 , WFF20N60 , WFF20N60S , WFF2N60 , WFF2N60B , PJA138K , PJA3400 , PJA3401 , PJA3402 .

History: ZXMN10A25K | CS6769 | IPD144N06NG | 2N5199 | PB5G2JU | ZXM62P02E6 | AF5N60S

 

 
Back to Top

 


 
.