WFF20N60S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WFF20N60S
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 34 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 20 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.5 V
Carga de la puerta (Qg): 68 nC
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1700 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.15 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220F
Búsqueda de reemplazo de MOSFET WFF20N60S
WFF20N60S Datasheet (PDF)
wff20n60s.pdf
WFF20N60SWFF20N60SWFF20N60SWFF20N60SSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures Ultra low Rdson Ultra-low Gate charge(Typical 68nC) 100% UIS Tested RoHS compliantGeneral DescriptionWinsemi Power MOSFET is fabricated using advanced superjunction technology.The resulting device has extremely low
wff20n60.pdf
WFF20N60WFF20N60WFF20N60WFF20N60Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 20A,600V,R (Max0.39)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 50nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis Power MOSFET is produced
Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
