WFF20N60S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WFF20N60S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 1700 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для WFF20N60S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WFF20N60S даташит

 ..1. Size:535K  winsemi
 wff20n60s.pdf pdf_icon

WFF20N60S

WFF20N60S WFF20N60S WFF20N60S WFF20N60S Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features Ultra low Rdson Ultra-low Gate charge(Typical 68nC) 100% UIS Tested RoHS compliant General Description Winsemi Power MOSFET is fabricated using advanced super junction technology.The resulting device has extremely low

 6.1. Size:271K  winsemi
 wff20n60.pdf pdf_icon

WFF20N60S

WFF20N60 WFF20N60 WFF20N60 WFF20N60 Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features 20A,600V,R (Max0.39 )@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 50nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150 ) General Description This Power MOSFET is produced

Другие IGBT... WFF10N65, WFF12N60, WFF12N65, WFF12N70S, WFF13N50, WFF15N60, WFF18N50, WFF20N60, IRF3205, WFF2N60, WFF2N60B, PJA138K, PJA3400, PJA3401, PJA3402, PJA3404, PJA3405