PJA3430 Todos los transistores

 

PJA3430 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PJA3430
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 26.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 25 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
 

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PJA3430 Datasheet (PDF)

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PJA3430

PPJA3430 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-23 Unit: inch(mm)20 V 2A Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@4.5V, ID@2.0A

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PJA3430

PPJA3434 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 Unit: inch(mm)20 V 750mAVoltage Current Features Low Voltage Drive (1.2V). Advanced Trench Process Technology Specially Designed for Switch Load, PWM Application, etc. ESD Protected Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU directive.. Green molding compound as per IEC61249 Std. (Halo

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PJA3430

PPJA3431 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-23 Unit: inch(mm)Voltage -20 V Current -1.5A Features RDS(ON) , VGS@-4.5V, ID@-1.5A

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PJA3430

PPJA3432 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-23 Unit: inch(mm) 30 V 1.6A Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@4,5V, ID@1.6A

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History: HTD1K5N10 | QM3014M6

 

 
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