PJA3430. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PJA3430

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 26.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

Аналог (замена) для PJA3430

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PJA3430 даташит

 ..1. Size:272K  panjit
 pja3430.pdf pdf_icon

PJA3430

PPJA3430 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-23 Unit inch(mm) 20 V 2A Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@4.5V, ID@2.0A

 8.1. Size:200K  panjit
 pja3434.pdf pdf_icon

PJA3430

PPJA3434 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 Unit inch(mm) 20 V 750mA Voltage Current Features Low Voltage Drive (1.2V). Advanced Trench Process Technology Specially Designed for Switch Load, PWM Application, etc. ESD Protected Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU directive.. Green molding compound as per IEC61249 Std. (Halo

 8.2. Size:227K  panjit
 pja3431.pdf pdf_icon

PJA3430

PPJA3431 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-23 Unit inch(mm) Voltage -20 V Current -1.5A Features RDS(ON) , VGS@-4.5V, ID@-1.5A

 8.3. Size:278K  panjit
 pja3432.pdf pdf_icon

PJA3430

PPJA3432 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-23 Unit inch(mm) 30 V 1.6A Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@4,5V, ID@1.6A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... PJA3407, PJA3409, PJA3411, PJA3412, PJA3413, PJA3414, PJA3415, PJA3416, 10N60, PJA3431, PJA3432, PJA3433, PJA3434, PJA45N02, PJA55P03, PJA63P02, PJA65P03