PJE8401 Todos los transistores

 

PJE8401 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PJE8401
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 43 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.13 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-523
 

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PJE8401 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:250K  panjit
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PJE8401

PPJE8401 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-523 Unit : inch(mm)Voltage -20 V Current -0.9A Features RDS(ON) , VGS@-4.5V, ID@-0.9A

 8.1. Size:206K  panjit
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PJE8401

PPJE8404 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-523 Unit : inch(mm)30 V 0.6A Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@4,5V, ID@0.6A

 8.2. Size:242K  panjit
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PJE8401

PPJE8402 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-523 Unit : inch(mm)20 V 0.7A Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@4,5V, ID@0.7A

 8.3. Size:262K  panjit
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PJE8401

PPJE8406 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-523 Unit : inch(mm)20 V 800mAVoltage Current Features RDS(ON), VGS@4.5V,IDS@500mA=0.4 RDS(ON), VGS@2.5V,IDS@300mA=0.7 RDS(ON), VGS@1.8V,IDS@100mA=1.2(typ) Advanced Trench Process Technology Specially Designed for Load Switch or PWM application. ESD Protected Lead f

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History: SM7370ESKP | SP8M8FRA | P0603BDG | DMP2038USS | DMTH8012LK3 | VS3640DP | BLS65R560-P

 

 
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