PJE8401. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PJE8401

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 43 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm

Тип корпуса: SOT-523

Аналог (замена) для PJE8401

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PJE8401 даташит

 ..1. Size:250K  panjit
 pje8401.pdf pdf_icon

PJE8401

PPJE8401 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-523 Unit inch(mm) Voltage -20 V Current -0.9A Features RDS(ON) , VGS@-4.5V, ID@-0.9A

 8.1. Size:206K  panjit
 pje8404.pdf pdf_icon

PJE8401

PPJE8404 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-523 Unit inch(mm) 30 V 0.6A Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@4,5V, ID@0.6A

 8.2. Size:242K  panjit
 pje8402.pdf pdf_icon

PJE8401

PPJE8402 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-523 Unit inch(mm) 20 V 0.7A Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@4,5V, ID@0.7A

 8.3. Size:262K  panjit
 pje8406.pdf pdf_icon

PJE8401

PPJE8406 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-523 Unit inch(mm) 20 V 800mA Voltage Current Features RDS(ON), VGS@4.5V,IDS@500mA=0.4 RDS(ON), VGS@2.5V,IDS@300mA=0.7 RDS(ON), VGS@1.8V,IDS@100mA=1.2 (typ) Advanced Trench Process Technology Specially Designed for Load Switch or PWM application. ESD Protected Lead f

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... PJC7400, PJC7401, PJC7403, PJC7404, PJC7406, PJC7407, PJE138K, PJE8400, 4435, PJE8402, PJE8403, PJE8404, PJE8405, PJE8406, PJL9801, PJQ2888, PJS50N03