PJE8406 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: PJE8406
   Código: E06
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 0.92 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 10 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-523

Búsqueda de reemplazo de MOSFET PJE8406

PJE8406 Datasheet (PDF)

..1. Size:262K panjit
pje8406.pdf

PPJE8406 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-523 Unit : inch(mm)20 V 800mAVoltage Current Features RDS(ON), VGS@4.5V,IDS@500mA=0.4 RDS(ON), VGS@2.5V,IDS@300mA=0.7 RDS(ON), VGS@1.8V,IDS@100mA=1.2(typ) Advanced Trench Process Technology Specially Designed for Load Switch or PWM application. ESD Protected Lead f

8.1. Size:206K panjit
pje8404.pdf

PPJE8404 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-523 Unit : inch(mm)30 V 0.6A Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@4,5V, ID@0.6A

8.2. Size:242K panjit
pje8402.pdf

PPJE8402 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-523 Unit : inch(mm)20 V 0.7A Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@4,5V, ID@0.7A

8.3. Size:242K panjit
pje8400.pdf

PPJE8400 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-523 Unit : inch(mm)20 V 1.1A Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@4.5V, ID@1.1A

8.4. Size:250K panjit
pje8401.pdf

PPJE8401 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-523 Unit : inch(mm)Voltage -20 V Current -0.9A Features RDS(ON) , VGS@-4.5V, ID@-0.9A

8.5. Size:237K panjit
pje8403.pdf

PPJE8403 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-523 Unit : inch(mm)Voltage -20 V Current -0.6A Features RDS(ON) , VGS@-4.5V, ID@-0.6A

8.6. Size:233K panjit
pje8405.pdf

PPJE8405 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-523 Unit : inch(mm)Voltage -30 V Current -0.5A Features RDS(ON) , VGS@-4.5V, ID@-0.5A

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: