Справочник MOSFET. PJE8406

 

PJE8406 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PJE8406
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 10 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
   Тип корпуса: SOT-523
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PJE8406 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:262K  panjit
 pje8406.pdf pdf_icon

PJE8406

PPJE8406 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-523 Unit : inch(mm)20 V 800mAVoltage Current Features RDS(ON), VGS@4.5V,IDS@500mA=0.4 RDS(ON), VGS@2.5V,IDS@300mA=0.7 RDS(ON), VGS@1.8V,IDS@100mA=1.2(typ) Advanced Trench Process Technology Specially Designed for Load Switch or PWM application. ESD Protected Lead f

 8.1. Size:206K  panjit
 pje8404.pdf pdf_icon

PJE8406

PPJE8404 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-523 Unit : inch(mm)30 V 0.6A Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@4,5V, ID@0.6A

 8.2. Size:242K  panjit
 pje8402.pdf pdf_icon

PJE8406

PPJE8402 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-523 Unit : inch(mm)20 V 0.7A Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@4,5V, ID@0.7A

 8.3. Size:242K  panjit
 pje8400.pdf pdf_icon

PJE8406

PPJE8400 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-523 Unit : inch(mm)20 V 1.1A Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@4.5V, ID@1.1A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: 2SK3513-01S | ZXMS6002GQ | IRLU7807ZPBF | HPM3401 | 2SK1805 | IPD135N03LG | 2SK2882

 

 
Back to Top

 


 
.