PJQ2888 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PJQ2888
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 38 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 27 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.325 Ohm
Paquete / Cubierta: DFN2020-8L
Búsqueda de reemplazo de PJQ2888 MOSFET
PJQ2888 Datasheet (PDF)
pjq2888.pdf
PPJQ2888 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET with TVS Diode DFN2020-8L Voltage -20 V Current -1.5A Features RDS(ON) , VGS@-4.5V, ID@-1.5A
Otros transistores... PJE8400 , PJE8401 , PJE8402 , PJE8403 , PJE8404 , PJE8405 , PJE8406 , PJL9801 , 5N65 , PJS50N03 , PJS6400 , PJS6401 , PJS6404 , PJS6405 , PJS6407 , PJS6413 , PJS6414 .
History: OSG70R600AF | GSM3981 | CJPF03N80
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