PJQ2888 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PJQ2888

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 38 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 27 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.325 Ohm

Encapsulados: DFN2020-8L

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PJQ2888 datasheet

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PJQ2888

PPJQ2888 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET with TVS Diode DFN2020-8L Voltage -20 V Current -1.5A Features RDS(ON) , VGS@-4.5V, ID@-1.5A

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