PJQ2888 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PJQ2888
Código: 888
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 VQgⓘ - Carga de la puerta: 2.2 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 38 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 27 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.325 Ohm
Paquete / Cubierta: DFN2020-8L
Búsqueda de reemplazo de MOSFET PJQ2888
PJQ2888 Datasheet (PDF)
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pjq2888.pdf
pjq2888.pdf
PPJQ2888 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET with TVS Diode DFN2020-8L Voltage -20 V Current -1.5A Features RDS(ON) , VGS@-4.5V, ID@-1.5A
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