PJQ2888. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PJQ2888

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 38 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 27 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.325 Ohm

Тип корпуса: DFN2020-8L

Аналог (замена) для PJQ2888

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PJQ2888 даташит

 ..1. Size:485K  panjit
 pjq2888.pdf pdf_icon

PJQ2888

PPJQ2888 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET with TVS Diode DFN2020-8L Voltage -20 V Current -1.5A Features RDS(ON) , VGS@-4.5V, ID@-1.5A

Другие IGBT... PJE8400, PJE8401, PJE8402, PJE8403, PJE8404, PJE8405, PJE8406, PJL9801, 5N65, PJS50N03, PJS6400, PJS6401, PJS6404, PJS6405, PJS6407, PJS6413, PJS6414