PJS6405 Todos los transistores

 

PJS6405 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PJS6405
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 34 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.072 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23-6L
     - Selección de transistores por parámetros

 

PJS6405 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:265K  panjit
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PJS6405

PPJS6405 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 6L-1 Unit :inch(mm) Voltage -30 V Current -4.6A Features RDS(ON) , VGS@-10V, ID@-4.6A

 8.1. Size:287K  panjit
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PJS6405

PPJS6400 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 6L-1 Unit : inch(mm) Voltage 30 V Current 6.4A Features RDS(ON) , VGS@10V, ID@6.4A

 8.2. Size:256K  panjit
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PJS6405

PPJS6407 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 6L-1 Unit : inch(mm) Voltage -30 V Current -4.9A Features RDS(ON) , VGS@-10V, ID@-4.9A

 8.3. Size:489K  panjit
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PJS6405

PPJS6403 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 6L Unit : inch(mm) Voltage -30 V Current -6.4A Features RDS(ON), VGS@-10V, ID@-4A

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History: SI2202 | SIHF10N40D | SL4813A | P3506DD

 

 
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