PJS6405 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

PJS6405 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PJS6405

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

trⓘ - Tiempo de subida: 34 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.072 Ohm

Encapsulados: SOT-23-6L

Búsqueda de reemplazo de PJS6405 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

..1. Size:265K panjit
pjs6405.pdf pdf_icon

PPJS6405 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 6L-1 Unit inch(mm) Voltage -30 V Current -4.6A Features RDS(ON) , VGS@-10V, ID@-4.6A

8.1. Size:287K panjit
pjs6400.pdf pdf_icon

PPJS6400 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 6L-1 Unit inch(mm) Voltage 30 V Current 6.4A Features RDS(ON) , VGS@10V, ID@6.4A

8.2. Size:256K panjit
pjs6407.pdf pdf_icon

PPJS6407 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 6L-1 Unit inch(mm) Voltage -30 V Current -4.9A Features RDS(ON) , VGS@-10V, ID@-4.9A

8.3. Size:489K panjit
pjs6403.pdf pdf_icon

PPJS6403 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 6L Unit inch(mm) Voltage -30 V Current -6.4A Features RDS(ON), VGS@-10V, ID@-4A