PJS6405. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PJS6405

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 34 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.072 Ohm

Тип корпуса: SOT-23-6L

Аналог (замена) для PJS6405

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PJS6405 даташит

 ..1. Size:265K  panjit
 pjs6405.pdf pdf_icon

PJS6405

PPJS6405 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 6L-1 Unit inch(mm) Voltage -30 V Current -4.6A Features RDS(ON) , VGS@-10V, ID@-4.6A

 8.1. Size:287K  panjit
 pjs6400.pdf pdf_icon

PJS6405

PPJS6400 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 6L-1 Unit inch(mm) Voltage 30 V Current 6.4A Features RDS(ON) , VGS@10V, ID@6.4A

 8.2. Size:256K  panjit
 pjs6407.pdf pdf_icon

PJS6405

PPJS6407 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 6L-1 Unit inch(mm) Voltage -30 V Current -4.9A Features RDS(ON) , VGS@-10V, ID@-4.9A

 8.3. Size:489K  panjit
 pjs6403.pdf pdf_icon

PJS6405

PPJS6403 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 6L Unit inch(mm) Voltage -30 V Current -6.4A Features RDS(ON), VGS@-10V, ID@-4A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... PJE8405, PJE8406, PJL9801, PJQ2888, PJS50N03, PJS6400, PJS6401, PJS6404, CS150N03A8, PJS6407, PJS6413, PJS6414, PJS6415, PJS6416, PJS6417, PJS6600, PJS6800