PJS6417 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

PJS6417 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PJS6417

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

trⓘ - Tiempo de subida: 68 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 148 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm

Encapsulados: SOT-23-6L

Búsqueda de reemplazo de PJS6417 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

..1. Size:291K panjit
pjs6417.pdf pdf_icon

PPJS6417 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 6L-1 Unit inch(mm) Voltage -20 V Current -6.5A Features RDS(ON) , VGS@-4.5V, ID@-6.5A

8.1. Size:258K panjit
pjs6413.pdf pdf_icon

PPJS6413 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 6L-1 Unit inch(mm) Voltage -20 V Current -4.4A Features RDS(ON) , VGS@-4.5V, ID@-4.4A

8.2. Size:286K panjit
pjs6416.pdf pdf_icon

PPJS6416 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 6L-1 Unit inch(mm) 20 V 7.4A Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@4.5V, ID@7.4A

8.3. Size:285K panjit
pjs6415.pdf pdf_icon

PPJS6415 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 6L-1 Unit inch(mm) Voltage -20 V Current -5.2A Features RDS(ON) , VGS@-4.5V, ID@-5.2A