PJS6417 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PJS6417
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 2 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 8 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 6.5 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tiempo de subida (tr): 68 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 148 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.035 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-23-6L
Búsqueda de reemplazo de MOSFET PJS6417
PJS6417 Datasheet (PDF)
pjs6417.pdf
PPJS6417 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 6L-1 Unit: inch(mm) Voltage -20 V Current -6.5A Features RDS(ON) , VGS@-4.5V, ID@-6.5A
pjs6413.pdf
PPJS6413 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 6L-1 Unit : inch(mm) Voltage -20 V Current -4.4A Features RDS(ON) , VGS@-4.5V, ID@-4.4A
pjs6416.pdf
PPJS6416 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 6L-1 Unit : inch(mm) 20 V 7.4A Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@4.5V, ID@7.4A
pjs6415.pdf
PPJS6415 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 6L-1 Unit : inch(mm) Voltage -20 V Current -5.2A Features RDS(ON) , VGS@-4.5V, ID@-5.2A
pjs6414.pdf
PPJS6414 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 6L-1 Unit : inch(mm) 20 V 6.6A Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@4.5V, ID@6.6A
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Liste
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