PJS6417 Todos los transistores

 

PJS6417 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PJS6417
   Código: S17
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 0.9 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 18.9 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 68 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 148 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23-6L
 

 Búsqueda de reemplazo de PJS6417 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

PJS6417 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:291K  panjit
 pjs6417.pdf pdf_icon

PJS6417

PPJS6417 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 6L-1 Unit: inch(mm) Voltage -20 V Current -6.5A Features RDS(ON) , VGS@-4.5V, ID@-6.5A

 8.1. Size:258K  panjit
 pjs6413.pdf pdf_icon

PJS6417

PPJS6413 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 6L-1 Unit : inch(mm) Voltage -20 V Current -4.4A Features RDS(ON) , VGS@-4.5V, ID@-4.4A

 8.2. Size:286K  panjit
 pjs6416.pdf pdf_icon

PJS6417

PPJS6416 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 6L-1 Unit : inch(mm) 20 V 7.4A Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@4.5V, ID@7.4A

 8.3. Size:285K  panjit
 pjs6415.pdf pdf_icon

PJS6417

PPJS6415 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 6L-1 Unit : inch(mm) Voltage -20 V Current -5.2A Features RDS(ON) , VGS@-4.5V, ID@-5.2A

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... PJS6401 , PJS6404 , PJS6405 , PJS6407 , PJS6413 , PJS6414 , PJS6415 , PJS6416 , P60NF06 , PJS6600 , PJS6800 , PJS6801 , PJS6806 , PJS6809 , PJS6811 , PJS6812 , PJS6815 .

History: MTP1067C6 | MDV1523URH | PJS6405 | BUK7616-55A | IXTH48N20 | TSM4ND50CP | 2SK2083

 

 
Back to Top

 


 
.