PJS6417 Todos los transistores

 

PJS6417 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PJS6417
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 68 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 148 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23-6L
 

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PJS6417 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:291K  panjit
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PJS6417

PPJS6417 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 6L-1 Unit: inch(mm) Voltage -20 V Current -6.5A Features RDS(ON) , VGS@-4.5V, ID@-6.5A

 8.1. Size:258K  panjit
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PJS6417

PPJS6413 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 6L-1 Unit : inch(mm) Voltage -20 V Current -4.4A Features RDS(ON) , VGS@-4.5V, ID@-4.4A

 8.2. Size:286K  panjit
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PJS6417

PPJS6416 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 6L-1 Unit : inch(mm) 20 V 7.4A Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@4.5V, ID@7.4A

 8.3. Size:285K  panjit
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PJS6417

PPJS6415 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 6L-1 Unit : inch(mm) Voltage -20 V Current -5.2A Features RDS(ON) , VGS@-4.5V, ID@-5.2A

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History: G06N10 | SIHA22N60AE | PJS6405 | SIHF730AS | 5N20V | IRF251 | 10N80L-TF2-T

 

 
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